國產半導體制造設備供應商中微公司創始人、董事長兼CEO 尹志堯

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隨著美國政府不斷升級芯片出口管制措施，國內芯片設備廠商開始評估制程差距和全球半導體行業風險。

鈦媒體App獲悉，8月10日無錫舉行的2023年中國電子專用設備工業協會半導體設備年會開幕式上，芯片設備企業中微半導體公司（AMEC）創始人、董事長兼CEO尹志堯表示，自2019年至今，美國政府已發布15輪半導體限制政策，其目的就是要遏制中國芯片行業發展，包括14nm在內，讓中國芯片制程比海外差距至少五代。

“去年10月7號以前，他們（美國）打的旗號是不允許中國的集成電路給伊朗等國提供技術解決方案，但是10月7日以后，美國真正目的暴露了，它就是要限制我們（中國）集成電路和國外有至少5代的差距。過去是兩代，現在五代的差距。從3nm往回推到14nm，只允許我們做28nm。”尹志堯強調，這樣的情況中國是不能接受的。據悉，14nm FinFET于2015年初量產，所以這意味著14nm到3nm，中國在芯片制程上滯后超過9年。

尹志堯還表示，2023年芯片制造廠投資中，美國、日本和荷蘭的半導體設備占國內設備采購的85%左右，國產設備只占10%-18%。而中國留學生在美國半導體設備產業發展中起到關鍵作用。如今，中國留學生回到國內發展芯片產業，但國內芯片企業卻出現部分惡性競爭和“內卷”行為，包括不斷降低價格、盜取知識產權、高薪挖人等，尹志堯建議政府和行業應制定公平競爭法則和規范，促進產業健康發展。

這是尹志堯罕見公開談及美國限制措施對國內芯片產業制程落后的現狀。

據悉，中微公司成立于2004年，是中國最大的國產半導體等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備供應商，總部位于上海，在新加坡、日本東京等15個區域擁有辦公室和6個境外子公司，員工共超過1500人，其設備可用于加工微米級和納米級的各種器件，從而為集成電路和泛半導體行業提供高端設備和服務。

中微提供的等離子體刻蝕設備，是芯片制造中光刻環節的關鍵組件。首先，使用掩模（光罩）將預定圖案投射到涂有光刻膠的晶圓（例如硅片）上。接著，光刻機照射晶圓，使其被照射部分發生化學變化。在這之后，依據光刻形成的圖案，刻蝕設備采用化學或物理方法，精確地去除硅片上暴露的部分，而由光刻膠覆蓋的區域保持不變。這樣，晶圓上的電路結構便得以形成。

而且，刻蝕和化學薄膜也能夠彌補光刻機的不足，因為光刻機只能做到14nm，那么7nm、5nm是通過二重模板、四重模板方法，需要用到刻蝕、化學薄膜等設備，使光刻尺度減少至25%-50%，從而形成更先進的5nm芯片。

簡而言之，晶圓光刻為刻蝕提供"模板"或"指南"，而刻蝕則執行這個"指南"，在材料中創建實際的芯片結構。目前，中微CCP刻蝕機可覆蓋65nm到5nm及更先進制程的邏輯芯片，其ICP刻蝕機則涵蓋14nm到5nm制程。

2022年，全球刻蝕設備市場高達1550億元，而中微占據全球刻蝕設備市場前四位，其他三家是美國泛林（Lam Research）、日本東京電子（Tokyo Electron）和美國應用材料（Applied Materials），四家共占全球干法刻蝕機市場90%以上份額。

中微公司董事長兼CEO尹志堯為美國國籍，畢業于中國科學技術大學化學物理系，獲北京大學化學學院碩士、美國加州大學洛杉磯分校物理化學博士學位，曾擔任硅谷的英特爾中心技術開發部工藝工程師，泛林半導體研發部資深工程師、研發部資深經理，應用材料等離子體刻蝕設備產品總部CEO、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部CTO，2014年回國成立中微公司。此外，2019年3月起尹志堯還擔任瀾起科技獨立董事。

2019年7月，中微公司（688012.SH）在科創板掛牌上市，成為科創板首批上市公司之一。

值得注意的是，2021年1月，美國政府將中微公司、小米等9家中國企業列入所謂“與中國軍方相關”的實體名單中，這些公司受到美國新的投資禁令限制，四個月后該名單刪掉了中微公司。尹志堯表示，“（美國列入黑名單）這是無稽之談。經過4個月的嚴正交涉，他們勉強把我們拉下來了。”

去年10月7日，美國商務部工業和安全局（BIS）發布多項半導體出口管制新規，其中規定美國供應商若向中國本土芯片制造商出售尖端生產設備，包括16nm或14nm及以下邏輯芯片、半間距不超過18nm的DRAM芯片、128層或以上的NAND閃存芯片，必須申請許可證并將受到嚴格審查。而且BIS稱，在中國境內，原則上禁止“美國人”在先進制程芯片制造廠支持芯片的開發或生產，先進制程對標前述三條線。因此，美籍華人尹志堯是否繼續參與中微曾引發一段爭議，今年7月中微公司在上交所投資平臺回復稱，尹志堯目前正常履職。

此次半導體設備年會上，尹志堯以《集成電路設備產業發展的現狀和挑戰，人類第三次工業革命的到來》為題發表演講，主要包含三部分：一是談及嚴峻的國際形勢和國內發展的挑戰；二是介紹中微公司發展狀況；三是探討關于人類工業革命的斷代問題。

首先在國際形勢方面，尹志堯表示，目前，美國、日本和荷蘭的半導體設備占國內設備采購的85%左右，而國產設備只占10%-18%。因此，最新美國聯合日本和荷蘭限制中國芯片產業，真正目的就是限制國內芯片設備。而它是支撐6000億美元的半導體芯片設計和制造產業發展的關鍵動力，更深層次是當前工業革命的基礎是微觀加工能力。

尹志堯稱，最新的行政命令——針對美國對中國半導體、人工智能和量子技術的投資限制，是美國對集成電路產業遏制的“第16招”。

尹志堯認為，除了光刻機之外，全球幾乎70%-80%的半導體設備都是由美國成功研發出來的，與此同時，刻蝕機、光學檢測等11類美國半導體設備中，都是由中國留學生領街或作為主要技術骨骨干開發、參與的。如果沒有中國留學生的貢獻，美國就沒有現在的半導體設備產業。

“所以現在美國政府想用設備來卡中國，一是完全沒有道理的，二是也是沒有任何好的結果，因為大部分的領軍人物都已經回國，在很多公司里都是骨干和領導，所以我們有充分的信心，數年后我們一個會開發出國際競爭力的設備產業。”尹志堯表示。

他提到，現在一條大規模的12英寸生產線需要投入100億美元，當中70%（70億）是用于購買芯片設備。而設備中包含十大類、170多種、3000多臺細分設備。這就意味著從成本來看，半導體設備值得重視，尤其這一市場還是被海外廠商把持的時候，發展中國半導體設備產業就顯得更為重要。

國內發展挑戰方面，尹志堯稱，目前國內芯片和設備產業出現"惡性競爭”的內卷問題：用各種方式，非法獲得競爭者的商業機密，用反向解剖抄襲競爭者的產品設計，復制別人的產品；企業既制造芯片，又開發設備，抄襲仿制供應商提供的設備；用50%，以致100%的高薪，挖別的公司的人才，攪亂人才市場；不是靠產品的技術的先進和性能優越，而是靠降低價格，不惜虧本的惡性競爭；為財務回報和政績，私募資金和城投基金盲目重復的投資，造成內卷和低成功率；離開公司時帶走公司技術資料和商業機密，開發和原所在公司相同的技術和同類設備等。

尹志堯認為，高科技領域的競爭是一個正常的現象，是推動科技發展的動力，但這種競爭必須是公平、合理、有序的，而惡性的競爭就是“內卷”，這種“內卷”是產業發展的“絆腳石”。

他呼吁，政府和行業應該制定一些公平競爭的法則和規范，降低內卷，防止惡性競爭。“現在中國要想把國內芯片設備產業發展起來，一定要合起來干，能夠互相配合，而不是惡性競爭。”

截至目前，中國半導體設備及零部件企業數量已超過200家。據統計，2022年，77家規模以上的國產半導體設備企業收入累計達593億元，同比增長53.6%，其中前十大企業營收占總收入的73.9%。

盡管表面看來，國內芯片設備發展良好，但此次會議期間多位行業人士表示，中國半導體設備公司在市場份額和技術成熟度方面仍落后于ASML、泛林、科磊等全球同行，尤其在光刻機、化學機械研磨設備、離子注入機等設備領域國產化率低于10%，幾乎沒有全球影響力，部分零部件也需國外采購。除了設備，光刻膠、掩模版等芯片材料的國產化率低于10%，在芯片產業逆全球化的當下，中國“小而散”現象使部分國產芯片設備、材料無法滿足芯片制造廠的核心需求，短期內“國產替代”難以為繼。

其次，談及中微公司發展現狀，尹志堯表示，2022年公司營收為47.40億元，同比增長52.5%，此前2021年增長36.7%；扣非歸母凈利潤9.19億元，同比增長183.44%。自2012年到現在的11年間，中微公司保持30%增速。截至2022年底，中微共有超過3311個反應臺，在86家客戶106條生產線全面量產，累計裝機臺數每年增長率超過35%。

而今年，盡管整個國內半導體設備市場降幅超30%，但今年上半年中微營收同比增長28%，利潤增長超100%。

最后談到人類工業革命的斷代問題，尹志堯認為，目前人類已經歷蒸汽機、電氣機和數碼信息時代。而如今，第三代工業革命已經悄悄到來，尹志堯定義為超人時代（Superman Age）。他指出，這場新的工業革命會給人類生產和生活方式帶來更深刻的改變，從智能化變成超人化的過程，包括原生人的改進、超智能的機械人、生物工程造出人的器官和整體人等技術路線。

“集成電路與生物醫藥結合可能會促進第三次工業革命發展。”尹志堯在結尾提到人體科學問題，他十分看好腦機接口技術對于未來微觀加工產業發展。（本文首發鈦媒體App，作者｜林志佳）

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