一、多晶硅供應：產能產量快速增長
1. 全球多晶硅產能產量快速增長
過去 10 年，全球多晶硅每年產能產量均實現快速增長，據 CPIA 數據，產能 由 2011 年 28.3 萬噸，增至 2021 年 67.1 萬噸，復合增速達 9%;產量由 2010 年 16 萬噸年產量，增至 2021 年 63 萬噸，復合增速達 13%。全球多晶硅產能產量的 快速增長更多受益于中國的增產，中國多晶硅產能由 2011 年 16 萬噸增至 2021 年 51.9 萬噸，復合增速達 12%;產量由 2010 年 5.2 萬噸增至 2021 年 50.5 萬噸， 復合增速達 23%，增速遠高于傳統行業。中國產量占比由 2010 年的 33%增至 2021 年的 80%，成為全球絕對意義的多晶硅主產國。 從開工率角度來看，中國產能產量在全球的份額逐步走高，全球開工率與中 國開工率愈發趨同。隨著下游光伏產業的快速發展，近幾年多晶硅開工率始終維 持較高位置，在雙碳政策引導下，2021 年國內開工率升至 97%，多晶硅的緊俏程 度可見一斑。
2. 我國多晶硅產能產量主要集中在西北地區，且產業集中度高
從區域分布來看，截至 2021 年底，我國多晶硅產能主要分布在新疆、江蘇、 內蒙和四川，分別占國內總產能的 47%、14%、12%和 11%，四省產能合計占比 84%。 我國多晶硅產量主要分布在新疆、內蒙、四川和江蘇，分別占比 55%、14%、11 和 9%，四省合計產量占比 89%，呈現生產地域較集中的特點，主要原因是當地電價 較低，同時與其原料工業硅產地靠近。
我國多晶硅企業集中度極強，從企業分布來看，截至 2022 年 5 月，產能排名 前 9 的企業合計產能達國內總產能的 87%。但需要注意的是，多家公司開始涌入 多晶硅賽道，未來 4 年投產計劃顯示多晶硅供應將快速增加，行業集中度可能下 滑。常規來看，多晶硅產能建設周期約 12-18 個月，產能爬坡周期約 3-6 個月， 整體擴產周期長于下游環節，經調研顯示，多晶硅生產有著極高的技術門檻，技 術人才的匱乏也是導致很多企業投產進度不及預期的重要原因之一，所以投產計 劃的可落地性仍待進一步跟蹤觀測。(報告來源：未來智庫)
3. 多晶硅生產工藝、冶煉成本及利潤
目前多晶硅生產主要使用三氯氫硅法，也就是改良西門子工藝，其次是硅烷 流化床法。根據 CPIA 數據，我國 2020 年三氯氫硅法生產占比 98%，硅烷法生產 僅占比 2%。
目前流化床顆粒硅工藝有逐步普及的勢頭，根據 CPIA 數據，2021 年硅烷法 顆粒硅產能和產量小幅增加，顆粒硅市占率有所上漲，同比提升了 1.3 個百分點， 達到 4.1%，棒狀硅占 95.9%，未來顆粒硅市場占有率將逐步提升。其主要優勢是 電耗低，據硅業分會數據，硅烷流化床法直接電耗為西門子法的 10%，綜合電耗 為西門子法的 1/3;其次顆粒硅無需破碎，可以直接拉晶使用，能填補硅塊空隙， 提高坩堝裝填量，進而提高拉晶產出;顆粒硅大小形狀比較均勻，熔化時對拉晶 爐熱場擾動小，是重復直拉單晶理想的復投，可以用機器自動加料或連續加料。 而缺點是硅料表面存在懸掛鍵，使得加料時易跳料，對爐壁壽命造成損傷;顆粒 硅比表面積大，易引入表面污染;硅烷生產存在安全隱患。隨著技術發展，顆粒 硅的弊端有望進一步解決。
多晶硅生產環節包括電耗、水耗、蒸汽耗量、硅耗等。以西門子工藝為例， 據 CPIA 報告，2021 年單爐致密料占比維持 70%-80%，多晶硅平均還原電耗較 2020 年下降 6.1%，為 46kWh/kg-Si。未來隨著氣體配比的不斷優化、大爐型的投用和 穩定生產、以及單晶廠家對于菜花料的試用，還原電耗仍將呈現持續下降趨勢， 到 2030 年還原電耗有望下降至 42kWh/kg-Si。目前流化床法還原電耗僅 3kWh/kgSi。
2021 年，冷氫化平均電耗在 4.7kWh/kg-Si 左右，同比下降 11.3%，到 2030 年有望下降至 4.1kWh/kg-Si 以下。技術進步的手段包括反應催化劑的開發、提 高工藝環節中熱能回收利用率、提高反應效率等。 2021 年，多晶硅平均綜合電耗已降至 63kWh/kg-Si，同比下降 5.3%。未來隨 著生產裝備技術提升、系統優化能力提高、生產規模增大等，預計至 2030 年有 望下降至 55kWh/kg-Si。目前硅烷流化床法顆粒硅綜合電耗較三氯氫硅法棒狀硅 低 40%-50%。預計到 2030 年，通過余熱利用降低蒸發量，精餾塔排出的物料再回 收利用降低殘液處理水耗等措施，可將耗水量控制在 0.09t/kg-Si 的水平。
2021 年，多晶硅平均水耗在 0.1t/kg-Si 的水平，同比下降 16.7%。新疆地 區氣候干燥，蒸發量大，水耗較行業平均值高。 2021 年企業蒸汽耗量均值為 18.4kg/kg-Si 左右，同比下降 20%，在新疆等 寒冷地區蒸汽耗量較其他地區高。隨著企業還原余熱利用率提升、提純、精餾系 統優化等，2030 年企業蒸汽耗量將降至 8.8kg/kg-Si。因為西門子法還原溫度高， 利用熱能可生成較多蒸汽，外采蒸汽需求較低，目前甚至部分企業不需要外采蒸 汽，而硅烷流化床法蒸汽消耗約 20kg/kg-Si。 2021 年，硅耗在 1.09kg/kg-Si 水平，基本與 2020 年持平，且近 5 年變化 幅度不大。隨著氫化水平的提升，副產物回收利用率的增強，預計到 2030 年將 降低到 1.07kg/kg-Si。
百川盈孚數據，2022 年 5 月中旬，多晶硅總生產成本約為 6 萬元/噸，成本 受工業硅價格和電價影響權重較大，其中工業硅占比 43%，電費占比 28%，三氯氫硅用來模擬計算氯氣成本。但也要注意多晶硅行業生產利潤率達到 80%，這也是 驅動企業增產擴產的主要動力。
4. 多晶硅以進口為主，但近年對外依存度下降
我國多晶硅以進口為主，可以看到近年隨著國內多晶硅產能不斷提升，2021 年中國多晶硅進口 10.7 萬噸，同比增加 12.7%，2017 年-2021 年進口復合增速為 -9.3%。目前國內進口占表觀消費比例已降至 20%以下。
二、多晶硅需求：光伏主導未來增長
1. 多晶硅消費量持續增長
2021 年中國多晶硅表觀消費量為 61.9 萬噸，同比增長 25%。 2018 年受下游 光伏行業“531”政策影響，光伏裝機下滑至 44.26GW，使得當年多晶硅表觀消費 有所下降，但近年來隨著光伏組件成本下降，補貼退坡影響減弱，雙碳背景下新 增光伏裝機量不斷走高，帶動多晶硅消費維持高增速。
2. 多晶硅消費以光伏為主
根據 CPIA 數據，2020 年太陽能級多晶硅消費占比 91%，故下游消費以光伏 行業為主。在多晶硅直接下游硅片生產中，因單晶硅片純度更高，轉化效率更高， 消費占比不斷走高，至 2020 年，單晶硅片占比已達 90%的水平。
3. 中性/樂觀情景下，2030 年全球多晶硅光伏需求或達到 67/113 萬噸
2021 年全球光伏新增 183GW，根據 BP 預測，全球光伏在 2030 年有望增加至2500-3300GW。2021 年中國光伏新增 54.88GW，中國光伏 在 2030 年有望增加至 1025-1200GW。 在樂觀條件下，全球和中國在 2025 年光伏新增裝機量分別為 254GW、93GW，2030 年光伏新增裝機量分別為 329GW、121GW;在中性條件下，全球和中國在 2025 年 光伏新增裝機量分別為165GW、77GW，2030年光伏新增裝機量分別為194GW、91GW。 根據光伏裝機量與光伏組件容配比 1.2 和每萬噸硅料對應 3.5GW 光伏組件計 算，2025 年全球光伏多晶硅在樂觀和中性條件下分別需求 87 萬噸和 57 萬噸， 2030 年光伏多晶硅在樂觀和中性條件下分別需求 113 萬噸和 67 萬噸。
三、多晶硅供需平衡：逐步轉向供過于求
1. 供應端預測：2030 年中國/全球多晶硅產量或達到 360/373 萬噸
根據投產計劃能夠正常投產落地、年新增產能對應半年產量和已存產能維持 90%的高開工率假設，預計至 2025 年，中國年產量達 318.4 萬噸，海外產能預期 不變，則全球年產量達 331.4 萬噸。2025 年-2030 年，在產能過剩的背景下，假 定無新增產能產量，而開工率維持不變，則中國年產量將達 360 萬噸，全球年產 量將達 373 萬噸。 基于原料工業硅行業的快速投產，預期 2025 年工業硅產能可達 650 萬噸， 另外 2021 年工業硅行業開工率僅為 65%，仍有提升空間，多晶硅的預期產出完全 可實現。預計多晶硅在工業硅消費中的占比將從當前的 28%提升至 2025 年的 52%， 光伏對于工業硅定價的邊際影響力增強。
在國內快速擴產的背景下，多晶硅進口將集中在高純度的電子級多晶硅，數量較小，可忽略不計?；诩僭O，在海外此前能夠保持出口的沿革下，光伏級多 晶硅沒有進口需求，而是以下游硅片進口需求代替。所以進出口影響對多晶硅供 需影響將極少。
2. 基于終端的需求預測：中性/樂觀情景，2030 年多晶硅消費量或達到 74/121 萬噸
從終端光伏裝機和半導體行業來看，多晶硅行業已經進入產能過剩周期。根 據我們對于未來光伏新增裝機的預測，以及基于 FortuneBusiness 預測未來半導 體行業的復合增長率 8.6%來計算： 樂觀情境下，至 2025 年，全球和中國消費量將分別增至 92 萬噸和 32 萬噸， 至 2030 年，全球和中國消費量將分別增至 121 萬噸和 42 萬噸。 中性情境下，至 2025 年，全球和中國消費量將分別增至 62 萬噸和 26 萬噸， 至 2030 年，全球和中國消費量將分別增至 74 萬噸和 31 萬噸。
3. 基于硅片的需求預測：2023 年開始全球和中國多晶硅均過剩
2021 年至今，多晶硅仍表現供不應求，其真正原因是下游硅片產能的高速擴 張所帶來的階段性需求。我們以預測的一種硅片產量發展的情景進行分析，即下 文硅片中的第二種假設情況，若 2022 年硅片產量 475GW，產量過剩 210GW;2023 年硅片產量減產至 100GW，基本可以抵消 2022 年過剩產量;2024 年產量恢復至 310GW，以后每年產量遞增 10GW，至 2030 年硅片產量 370GW，每 GW 硅片需 0.3 萬 噸多晶硅計算，2023 年開始全球和中國多晶硅均過剩。(報告來源：未來智庫)
四、硅片供應：產能擴張明顯
1. 全球硅片產能急劇擴張
光伏行業快速增長，帶動全球硅片產能的急劇擴張，國內硅片產能占全球產 能比例逐年提高，由 2017 年國內硅片產能占比 87%提升至 2020 年 97%;全球硅 片產能逐步擴張，由 2017 年 120GW 擴張至 2020 年 260GW 左右。市場普遍預測， 2021-2022 年國內硅片產能占全球比例仍在 97%以上，按 97%保守計算，2022 年 全球產能在 620GW 左右。
2. 我國硅片產能集中度高，產量已達到 227GW
2021 年我國硅片產量 227GW，硅片產能 400GW(CPIA)。2022 年國內產能將進 一步擴張，隆重咨詢預計產能將擴充至 600GW 以上。最近五年，硅片產能以 31% 的年復合增長率擴張，硅片產量以 20%的年復合增長出貨，主要受多晶硅原料供 給的影響，硅片廠設備產能沒有充分利用，硅片廠實際產能利用率由2018年71%， 遞減至 2021 年的 57%，平均產能利用率 67%。 國內硅片產能較為集中，2018 至 2020 年 CR5 由 68.6%逐年遞增至 88.1%，受 下游組件廠與硅片輔材廠產業鏈延伸的影響，2021 年硅片行業 CR5 回落至 84%， 隆基、中環在硅片行業產能排名前二。
3. 硅片產能建設周期 2 年以內，投資成本持續下降
硅片環節資本密集，技術含量相比光伏電池低，新入場企業可直接采用現有 技術和裝備，大大縮短產線建設周期。據隆重咨詢調研，某公司建設年產 50GW 大 尺寸單晶硅片項目，從項目立項-采購設備-簽訂建筑外包合同-首期點火投產，僅 用四個月左右時間。其次，新建硅片廠若需場地平整、廠房建設，整個流程形成 有效產能需要 1.5-2 年。 2020 年投資單晶硅片產能投資額：單晶爐約 1.4 億元/GW，切片設備約 0.4 億元/GW，機器加工設備 0.3 億元/GW，其他設備約 0.2 億元/GW，合計設備投資 2.3 億元/GW。其中，單晶爐價值占比 60%，切片設備價值占比 13%。
硅片投資成本下降。隨著單晶市場份額增加以及生產技術的進步，單晶設備 投資成本呈現下降趨勢;切片環節設備成本也呈現逐年下降趨勢。2021 年拉棒環 節(主要生產單晶硅)、鑄錠環節(主要生產多晶硅)單位產能設備投資額分別為 5.3 萬元/噸和 2.0 萬元/噸，較 2020 年均有小幅下降。隨著單晶拉棒技術進步與 設備智能化的提高，設備投資呈現逐年降低的趨勢，CPIA 預計 2025 年、2030 年 拉棒環節單位產能設備投資較 2021 年分別降低 21%、28%;鑄錠設備由于其產品多晶硅片市場需求急劇降低，企業技改動力不足，預計 2021-2030 年設備投資成 本維持在 2 萬元/噸。2021 年切片環節設備投資額 20.3 萬元/百萬片，隨著自動 化金剛絲切片設備技術的進步，CPIA 預計 2025 年、2030 年切片環節設備投資較 2021 年分別降低 20%、24%。
4. 我國硅片出口在全球占據主導地位
我國硅片在全球范圍內占據主導地位，硅片出口大于硅片進口量，進口依賴 度較低。2021 年單晶硅片出口 51071 噸，進口 5010 噸，凈出口 46061 噸;多晶 硅片 2021 年市場占有率低于 7%，占比較小。從單月出口結構可以看出，近三年 一季度單晶硅片出口較高，而近五年同期四月份開始單月單晶硅片出口呈現逐月 遞增，主要受下游需求的旺盛的影響。整體來看，近五年單晶硅片累計出口 17 萬 噸，受國內光伏電池、組件需求增長的影響，近三年單晶硅硅片出口增速回落， 19 年出口增速 79.6%，2020 年下降至 21.6%，2021 年增速回落至 4.7%。
5. 硅片生產過程、生產成本及利潤
在硅片生產中，直拉法主要生產單晶硅棒，加工制備單晶硅片;鑄錠法主要 生產多晶硅錠，加工制備多晶硅片。
單晶硅市場份額持續提升：2018 年以前多晶硅片生產成本相比單晶硅生產成 本低，市場硅片主要以多晶硅片為主(占比 50%以上)。2019 年開始，隨著單晶硅 片(技術+成本優勢)光電轉換效率比多晶硅片高，且單晶硅片生產成本不斷下降， 單晶硅片市場份額占比不斷提高。預計2025年單晶硅片市場份額占比將到達97%， 2030 年單晶硅片市場份額占比有望提升至 98%以上。
晶拉棒電耗：直拉法生產單位合規單晶硅棒所消耗電量，企業通過生產技術 改進電耗水平呈現下降態勢。據中國光伏協會統計，2020 年平均電耗 26.2kWh/kg， 2021 年將至 23.9kWh/kg，預計 2025 年將至 20.9kWh/kg，相比 2021 年降幅 12.5%; 2030 年有望將至 19.5kWh/kg，相比 2021 年降幅 18.4%。
鑄錠電耗：通過定向凝固生產硅錠所消耗的電量。由于多晶硅片市場份額占 比大幅減小，企業對于多晶錠生產技術改進動力減弱，2021 年鑄錠電耗 6.5 kWh/kg，相比 2020 年微幅下降，預計至 2025 鑄錠電耗將至 6.3kWh/kg 左右，相 比 2021 年降幅 3%;2030 年鑄錠電耗 6.2kWh/kg 左右，相比 2021 年降幅 4.6%。
拉棒單爐投料：單只干鍋用于多次拉棒生產的總投料量，在干鍋單價和使用 時間一定的條件下，單爐投料數量越大，越有利于降低成本。2021 年拉棒單爐投 料量 2800kg，較 2020 年提升 47%。隨著單晶硅片市場份額擴大，廠家通過提升拉 棒設備和工藝，單爐投料有望進一步增加，CPIA 預計 2025 年單爐投料 4000k 左 右，2030 年有望達到 4600kg 左右。耗硅料(單位硅棒所需多晶硅原料)方面， 拉棒耗硅料維持在 1.06，未來隨著工藝技術的進步，該工藝耗硅料仍在 1.05-1.06 之間變化。
鑄錠投料：單只干鍋最大裝料量。2020-2021 年鑄錠單爐平均投料量維持在 1100kg 左右，主要因為目前鑄錠爐仍以 1100-1200kg，未來隨著低端產能的淘汰， 鑄錠爐有望以 1500kg 左右主流投料量為主。鑄錠耗硅料基本維持在 1.1 左右， 相比拉棒工藝多余 0.4 左右。
耗水量：切片工藝耗水主要集中于脫膠、清洗、切片等設備，2021 年切片環 節耗水量 910t/百萬片，隨著行業降本增效，2025 年和 2030 年耗水量相較于 2021 年有望分別降低 13%、18%。
出片量：2021 年每公斤單晶方棒出 P 型 166mm 尺寸硅片 64 片(P 型 158mm 尺寸每公斤單晶方棒出片量 70 片，P 型 182mm 尺寸每公斤單晶方棒出片量 53 片， P 型 210mm 尺寸每公斤單晶方棒出片量 40 片)，多晶方錠每公斤出片 59 片。隨著 切片用金剛線直徑降低，硅片厚度下降，單位質量出片數增加，加之單晶硅片市 場占有份額逐步提高，預計 2025 年、2030 年相比 2021 年每公斤單晶方棒出 P 型 166mm 尺寸硅片分別增加 12.5%、22%。;方錠出片量由于多晶硅片市場占有率降 低，基本無變化。
拉棒/鑄錠環節人均產出率：2021 年拉棒/鑄錠環節人均產出率 23.8t/年/人， 切片人均產出率 1.7 百萬片/年/人，隨著生產設備智能化、切片效率提高，CPIA 預計 2025 年、2030 年拉棒/鑄錠環節人均產出率較 2021 年分別提高 68%、101%， 預計 2025 年、2030 年切片人均產出率較 2021 年分別提高 64%、117%。
硅片毛利及成本：2021 年硅片行業毛利率 16.95%，相比 2020 年行業毛利上 漲 41%。硅片成本中：硅料成本占比超過 50%，其次是設備等固定資產折舊占比 12%，隨著硅料產能擴張，以及上述各類非硅成本的下降，預計未來幾年硅片制造 成本也將逐年遞減，硅片行業毛利預計將維持在相對穩定的范圍。
五、硅片需求：總體需求保持高增，大尺寸和薄片
化硅片占比提升 1. 中性/樂觀情景下，2030 年全球硅片需求或達到 233/395GW 2021 年全球光伏新增 183GW，根據 BP 預測，全球光伏在 2030 年有望增加至 2500-3300GW。2021 年中國光伏新增 54.88GW，中國光伏 在 2030 年有望增加至 1025-1200GW。 在樂觀條件下，推測出全球和中國在2025年光伏新增裝機量分別為254GW、93GW， 2030 年光伏新增裝機量分別為 329GW、121GW;在中性條件下，推測出全球和中國 在 2025 年光伏新增裝機量分別為 165GW、77GW，2030 年光伏新增裝機量分別為 194GW、91GW。 根據光伏裝機量與光伏組件容配比 1.2 計算，全球光伏硅片在樂觀/中性條 件下，2025 年需求為 305GW/198GW，2030 年需求為 395GW/233GW;中國光伏硅片 在樂觀/中性條件下，2025 年需求 112GW/93GW，2030 年需求 145GW/109GW。(報告來源：未來智庫)
2. 硅片尺寸和厚度需求變化
2.1. 大尺寸硅片占比提高
大尺寸硅片占比提高。當前光伏硅片主流尺寸有 5 種，分別為 156.75(M2)、 158.75(G1)、166mm(M6)、182mm(M10)、210mm(G12)。根據 PVinfolink 預測， 2022-2025 年 182mm 硅片占比分別達到 38%、41%、37%、30%;210mm 硅片占比分 別達到 32%、43%、58%、60%，未來逐步形成 182mm 和 210mm 的占比格局。光伏硅 片尺寸變大，不僅能大幅降低硅材料的制造費用，也能夠全面地帶來切片、電池組件的單位面價制造成本，對減低硅片、電池的制造成本，提升產能、材料利用 率和生產效率有重要意義。
2.2. 薄片化硅片占比提高
未來幾年硅片厚度往薄片方向發展。2021 年，多晶硅片平均厚度 178μm，P 型單晶硅片平均厚度在 170μm，N 型硅片平均厚度 160μm，相比于 2020 年，對 多晶硅片平均厚度降低 2μm，P 型單晶硅片平均厚度降低 5μm，N 型硅片平均厚 度降低 8μm。根據相關公司公布的《技術創新和產品規格創新降低硅料成本倡議 書》可知，N 型電池對超薄片的適應性更高，相關機構預測 2025 年 N 型硅片厚度 將降低至 150μm 左右，有望達到 148 微米，2030 年 N 型硅片厚度有望降低至 130 μm 左右，硅片厚度每降低 10μm，硅片成本降低約 3%。因此，未來幾年硅片厚 度往薄片方向發展，不僅可以提高電池對硅片的適用性，而且對降低硅片成本有 重要意義。
六、硅片供需平衡：供需缺口或先擴大后收窄
1. 硅片供需平衡：到 2030 年，全球硅片供需缺口逐步收窄 全球硅片產量從 2022 年開始逐漸寬松。全球硅片在 2017、2018 年存在供需 缺口，供給不足;2019 至 2021 年處于供需緊平衡狀態。2022 年隨著國內硅片原 料企業的擴產(多晶硅)，以及國內硅片企業的擴產，全球硅片產量預計開始邊際 寬松，供給端擴產的計劃預計在 2023 年出現停滯。
關于 2023-2030 年供需平衡推演： 第一種情況，2023 年供給仍過剩，但后期過剩逐步緩解。按供給 2023 年多 晶硅產量供給 142 萬噸，產能 600GW，預計產量 475GW，若 2023-2030 年全球硅片 每年產量保持 2023 年預計的硅片產量 475GW，則全球硅片供給仍將過剩，但隨著 下游光伏裝機需求的增加，供給過剩量在 2023 年以后將出現遞減。 第一種情況下：國內硅片產量大于硅片消耗量，從最近五年和未來幾年硅片 產量推算出，國內硅片除用于國內光伏電站裝機以外，剩余一部分可用于硅片出 口，以及用于組件生產、出口。
第二種情況，2023-2030 年供需基本平衡。若 2022 年硅片產量 475GW，產量 過剩 210GW;2023 年硅片產量減產至 100GW，基本可以抵消 2022 年過剩產量; 2024 年產量恢復至 310GW，以后每年產量遞增 10GW，至 2030 年硅片產量 370GW， 則 2022-2030 年全球硅片供需處于相對平衡的狀態。 第二種情況下：國內硅片產量仍大于硅片消耗量，國內硅片除用于國內光伏 電站裝機以外，還能剩余一部分，用于硅片出口，以及用于組件生產、出口。
第三種情況，2023-2030 年供需缺口收窄，甚至可轉為供不應求。若 2023- 2030 年全球硅片平均每年產量保持 325GW，全球硅片在樂觀狀態裝機下，2023- 2030 年基本可以處于供需緊平衡狀態;在中性狀態裝機需求下，硅片產量將過剩。 第三種情況下：國內硅片產量仍大于硅片消耗量，國內硅片除用于國內光伏 電站裝機以外，還能剩余一部分，用于硅片出口，以及用于組件生產、出口。
2. 硅片價格：2023 年價格重心下移
2022 年 1 月至 5 月單晶硅片價出現微幅上周，210 單晶硅片上漲 18.5%、182 單晶硅片上漲 16.9%、166 單晶硅硅片上漲 15.8%，210 年硅片因制備難度和產能 等原因影響，產量有限，同期相比 182、166 單晶硅片價格漲幅較高。同期，多晶 硅片漲幅 50.5%，主要受多晶硅片產量減少的影響。其次，從全球硅片供需平衡 可知，2022 年全球硅片供需開始由 2021 年供需緊平衡，向供需寬松開始轉變; 2023 年全球硅片將出現大幅過剩，預計硅片價格重心將逐步下移。
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