在第三代半導(dǎo)體的商業(yè)化道路上，日本廠商又添了一把力。

東芝近日官網(wǎng)宣布，第三代SiC MOSFET(碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管)計(jì)劃在今年8月下旬開始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻，且開關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約20%。

東芝的第二代SiC MOSFET量產(chǎn)于2020年8月。今年一季度，東芝宣布在內(nèi)部生產(chǎn)用于功率半導(dǎo)體的SiC外延片，并且投資55億用于功率器件擴(kuò)產(chǎn)，包括建設(shè)8英寸的碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)線。

東芝表示，未來(lái)這種“外延設(shè)備+外延片+器件”的IDM模式，有利于他們搶占鐵路、海上風(fēng)力發(fā)電、數(shù)據(jù)中心以及車載等市場(chǎng)。

▍SiC商業(yè)化進(jìn)程加速 本土廠商靠新能源車、光伏贏得入場(chǎng)機(jī)會(huì)

SiC在高壓、高功率應(yīng)用場(chǎng)景下性能優(yōu)越，適用于600V以上高壓場(chǎng)景，因此電動(dòng)車及光伏等熱門場(chǎng)景對(duì)SiC的需求相當(dāng)旺盛。Wolfspeed、英飛凌以及意法半導(dǎo)體等多家國(guó)外企業(yè)已經(jīng)陸續(xù)宣布擴(kuò)產(chǎn)。

從競(jìng)爭(zhēng)格局上看，目前海外龍頭(Wolfspeed、II-VI占據(jù)60%以上市場(chǎng)份額)已實(shí)現(xiàn)6英寸規(guī)模化供應(yīng)、向8英寸進(jìn)軍。國(guó)產(chǎn)廠家(天岳先進(jìn)(99.70 +2.64%,診股)、天科合達(dá)、晶盛機(jī)電(70.44 +0.21%,診股)、露笑科技(14.86 +0.34%,診股)等)以小尺寸為主、向6英寸進(jìn)軍。

性價(jià)比是決定SiC器件大批量使用的關(guān)鍵，襯底制備為SiC性價(jià)比提升的核心，也是技術(shù)壁壘最高環(huán)節(jié)。

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底龍頭天岳先進(jìn)在近期宣布簽訂14億元大單。就此，中金證券近日發(fā)布研報(bào)稱，這從一定程度上體現(xiàn)出SiC器件滲透率呈現(xiàn)快速提升，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場(chǎng)規(guī)模有望迎來(lái)快速成長(zhǎng)期，另一方面也反映出國(guó)內(nèi)材料企業(yè)在N型SiC導(dǎo)電型襯底方面的技術(shù)實(shí)力及產(chǎn)能規(guī)模都在不斷增強(qiáng)。SiC行業(yè)的落地在今年內(nèi)已開始呈明顯加速趨勢(shì)。

中金公司(41.63 -0.12%,診股)則稱，在新能源車、光伏發(fā)電等重點(diǎn)行業(yè)終端出貨量快速成長(zhǎng)，疊加SiC滲透率提升且短期內(nèi)器件價(jià)格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市場(chǎng)規(guī)模有望迎來(lái)增速最快的三年周期。

該機(jī)構(gòu)分析師進(jìn)一步表示，中國(guó)相關(guān)供應(yīng)商雖起步較晚，但得益于新能源車、光伏逆變器本土品牌商市場(chǎng)份額提升，國(guó)內(nèi)企業(yè)獲得了入場(chǎng)機(jī)會(huì)，國(guó)內(nèi)SiC器件供應(yīng)商有望把握本土化機(jī)會(huì)，復(fù)制硅基IGBT時(shí)代輝煌，擁有全產(chǎn)業(yè)一體化(材料、制造、封測(cè))能力的企業(yè)存在著更大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，建議關(guān)注三安光電(23.03 +1.94%,診股)、斯達(dá)半導(dǎo)(412.13 +3.42%,診股)、華潤(rùn)微(54.10 +1.20%,診股)等上市公司以及部分技術(shù)領(lǐng)先的未上市企業(yè)。

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